IXFA7N80P

更新时间： 2024-11-01 11:13:59

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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4页	146K
描述
Polar HiPerFET Power MOSFET

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IXFA7N80P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	8.3	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	300 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	800 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7 A
最大漏极电流 (ID)：	7 A	最大漏源导通电阻：	1.44 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	200 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	18 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFA7N80P 数据手册

Polar^TMHiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 800V

I_D25= 7A

IXFA7N80P

IXFP7N80P

R_DS(on)≤ 1.44Ω

t_rr

≤ 250ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Rectifier

TO-263 AA (IXFA)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

D (Tab)

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

800

V_DGR

TO-220AB (IXFP)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

D (Tab)

= Drain

I_A

T_C= 25°C

E_AS

300

G = Gate

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

S = Source

Tab = Drain

200

T_J

-55 ... +150

150

°C

Features

T_JM

T_stg

^zInternational Standard Packages

^zDynamic dv/dt Rating

^zAvalanche Rated

^zFast Intrinsic Rectifier

^zLow Q_G

-55 ... +150

T_L

T_sold

1.6mm (0.062in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 Seconds

300

260

°C

M_d

Mounting Torque (TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Weight

TO-263

TO-220

2.5

3.0

Advantages

Easy to Mount

Space Savings

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ± 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

800

3.0

Applications

5.0

^zDC-DC Converters

^zBattery Chargers

±100 nA

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

I_DSS

25 μA

^zUninterrupted Power Supplies

^zAC Motor Drives

T_J= 125°C

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Notes 1, 2

500 μA

R_DS(on)

1.44

^zHigh Speed Power Switching

Applications

DS99597F(04/10)

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFP7N80P	IXYS	功能相似	Polar HiPerFET Power MOSFET

与IXFA7N80P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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