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IXFB100N50P

更新时间： 2024-02-11 06:27:15

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描述
PolarHV HiPerFET Power MOSFET

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IXFB100N50P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	8.28
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	5000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	100 A
最大漏源导通电阻：	0.049 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	250 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFB100N50P 数据手册

PolarHV^TMHiPerFET

Power MOSFET

IXFB 100N50P

V_DSS= 500 V

I_D25= 100 A

R_DS(on)≤ 49 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

t_rr

≤ 200 ns

Fast Intrinsic Diode

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

PLUS264^TM(IXFB)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 150° C

500

T_J= 25° C to 150° C; R_GS= 1 MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

(TAB)

I_D25

I_DRMS

I_DM

T_C=25° C

External lead current limit

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

100

250

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

I_AR

T_C=25° C

100

E_AR

E_AS

T_C=25° C

100

Features

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 2 Ω

V/ns

International standard packages

Fast recovery diode

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

T_C=25° C

1250

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

Advantages

F_C

Mounting force

30..120/7.5...2.7

N/lb

Plus 264^TMpackage for clip or spring

Space savings

High power density

Weight

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 3 mA

V_DS= V_GS, I_D= 8 mA

V_GS= 30 V_DC, V_DS= 0

500

3.0

5.0

200

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

2000

µA

T_J= 125° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25, Note 1

49 mΩ

DS99496E(01/06)

12 3 4 5

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