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IXFA8N85XHV

更新时间: 2024-11-25 14:56:39
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力特 - LITTELFUSE 高电压电源二极管
页数 文件大小 规格书
7页 405K
描述
采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件,具有业内最低的导通电阻,因此能够在高电压电源转换应用中实现高功率密度。 这种器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,具有低栅

IXFA8N85XHV 数据手册

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PreliminaryTechnical Information  
X-Class HiPERFET  
Power MOSFET  
VDSS = 850V  
ID25 = 8A  
RDS(on) 850m  
IXFA8N85XHV  
IXFP8N85X  
IXFQ8N85X  
N-Channel Enhancement Mode  
TO-263HV (IXFA)  
G
S
D (Tab)  
TO-220 (IXFP)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25C to 150C  
850  
850  
V
V
VDGR  
TJ = 25C to 150C, RGS = 1M  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
30  
40  
V
V
G
D
S
D (Tab)  
ID25  
IDM  
TC = 25C  
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
8
A
A
TO-3P (IXFQ)  
16  
IA  
TC = 25C  
TC = 25C  
4
A
G
D
S
EAS  
300  
mJ  
dv/dt  
PD  
IS IDM, VDD VDSS, TJ 150°C  
TC = 25C  
50  
V/ns  
W
D (Tab)  
200  
G = Gate  
D
= Drain  
S = Source Tab = Drain  
TJ  
-55 ... +150  
150  
C  
C  
C  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Features  
International Standard Packages  
High Voltage Package  
Low RDS(ON) and QG  
Avalanche Rated  
FC  
Md  
Mounting Force (TO-263HV)  
Mounting Torque (TO-220 & TO-3P)  
10..65 / 2.2..14.6  
1.13 / 10  
N/lb  
Nm/lb.in  
Weight  
TO-263HV  
TO-220  
TO-3P  
2.5  
3.0  
5.5  
g
g
g
Low Package Inductance  
Advantages  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
High Power Density  
Easy to Mount  
Space Savings  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250μA  
VDS = VGS, ID = 250μA  
VGS = 30V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
850  
V
3.0  
5.5  
V
Applications  
100 nA  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
Power Supplies  
DC-DC Converters  
PFC Circuits  
AC and DC Motor Drives  
Robotics and Servo Controls  
IDSS  
10 A  
750 A  
TJ = 125C  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 4A, Note 1  
850 m  
DS100804B(06/18)  
© 2018 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  

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