IXFH6N120P

更新时间： 2024-11-18 12:20:15

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描述
Polar HiPerFET Power MOSFET

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IXFH6N120P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	8.28	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	300 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6 A	最大漏极电流 (ID)：	6 A
最大漏源导通电阻：	0.0024 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	250 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	18 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFH6N120P 数据手册

Advance Technical Information

Polar^TMHiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 1200V

I_D25= 6A

R_DS(on)≤ 2.4Ω

IXFA6N120P

IXFP6N120P

IXFH6N120P

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 AA (IXFA)

Fast Intrinsic Diode

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-220AB (IXFP)

T_J= 25°C to 150°C

1200

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

D (Tab)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

TO-247 (IXFH)

I_A

T_C= 25°C

E_AS

300

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

250

D (Tab)

T_J

-55 ... +150

150

°C

G = Gate

S = Source

= Drain

T_JM

T_stg

Tab = Drain

-55 ... +150

Features

T_L

1.6mm (0.062) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

^zInternational Standard Packages

^zDynamic dv/dt Rating

^zAvalanche Rated

^zFast Intrinsic Diode

^zLow Q_G

^zLow R_DS(on)

^zLow Drain-to-Tab Capacitance

^zLow Package Inductance

T_SOLD

M_d

Mounting Torque (TO-220 &TO-247)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Advantages

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1200

2.5

Typ.

Max.

Easy to Mount

Space Savings

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250µA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

5.0

Applications

±100 nA

^zDC-DC Converters

^zBattery Chargers

I_DSS

10 µA

1 mA

T_J= 125°C

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

2.4

Ω

^zUninterrupted Power Supplies

^zAC Motor Drives

^zHigh Speed Power Switching

Applications

DS100202A(11/09)

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFA6N120P	IXYS	功能相似	Polar HiPerFET Power MOSFET
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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXFH70N30Q3	LITTELFUSE	获取价格	Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和
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