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IXFH76N06

更新时间: 2024-01-23 20:19:10
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE /
页数 文件大小 规格书
2页 142K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

IXFH76N06 技术参数

生命周期:Active包装说明:,
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.76
Is Samacsys:N配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):76 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):360 W
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
Base Number Matches:1

IXFH76N06 数据手册

 浏览型号IXFH76N06的Datasheet PDF文件第2页 

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