IXFH80N10

更新时间： 2024-02-10 08:45:25

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
HiPerFET Power MOSFETs

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IXFH80N10 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	TO-247, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.67	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	80 A
最大漏源导通电阻：	0.015 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	320 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFH80N10 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

V_DSS= 100 V

I_D25= 80 A

R_DS(on)= 12.5 mΩ

IXFH 80N10

IXFT 80N10

N-ChannelEnhancementMode

AvalancheRated,Highdv/dt

t ≤ 200 ns

Preliminary data sheet

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247AD(IXFH)

V_DSS

V_DGR

V_GS

V_GSM

I_D25

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

Continuous

100

±20

±30

(TAB)

Transient

T_C= 25°C

I_L(RMS)

I_DM

Lead current limit

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

320

TO-268 ( IXFT) Case Style

I_AR

E_AR

T_C= 25°C

E_AS

2.5

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

(TAB)

P_D

T_J

T_C= 25°C

300

-55 to +150

150

°C

G = Gate

S = Source TAB = Drain

= Drain

T_JM

T_stg

-55 to +150

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

Mounting torque

300

°C

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

Features

Weight

TO-247

TO-268

International standard packages

Low R_{DS (on)}

Rated for unclamped Inductive load

switching (UIS)

Molding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min.

typ.

max.

Advantages

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 1 mA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

100

2.0

Easy to mount

Space savings

V_GS(th)

4.0

High power density

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

µA

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

12.5 mΩ

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

98739 (8/00)

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IXFH80N65X2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
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