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IXFH80N15Q PDF预览

IXFH80N15Q

更新时间: 2024-11-17 23:14:51
品牌 Logo 应用领域
IXYS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
2页 127K
描述
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

IXFH80N15Q 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-247
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.68其他特性:AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas):1500 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):80 A最大漏极电流 (ID):80 A
最大漏源导通电阻:0.0225 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-247JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e1元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):360 W最大脉冲漏极电流 (IDM):320 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IXFH80N15Q 数据手册

 浏览型号IXFH80N15Q的Datasheet PDF文件第2页 
HiPerFETTM  
Power MOSFETs  
Q-Class  
VDSS = 150  
ID25 = 80  
V
A
IXFH 80N15Q  
IXFK 80N15Q  
IXFT 80N15Q  
RDS(on) = 22.5 mW  
£ 200 ns  
trr  
N-ChannelEnhancementMode  
AvalancheRated, Highdv/dt, LowQg  
Preliminary data sheet  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
TO-247 AD (IXFH)  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MW  
150  
150  
V
V
(TAB)  
VGS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
ID25  
IDM  
IAR  
TC = 25°C  
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
TC = 25°C  
80  
320  
80  
A
A
A
TO-268 (D3) ( IXFT)  
G
(TAB)  
EAR  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
45  
1.5  
mJ  
J
S
dv/dt  
IS £ IDM, di/dt £ 100 A/ms, VDD £ VDSS  
TJ £ 150°C, RG = 2 W  
,
5
V/ns  
TO-264 AA (IXF
PD  
TC = 25°C  
360  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
G
D
S
D (TAB)  
TL  
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s  
300  
°C  
G = Gate  
S = Source  
Md  
Mounting torque  
TO-247  
TO-264  
1.13/10 Nm/lb.in.  
0.9/6 Nm/lb.in.  
TAB = Drain  
Weight  
Symbol  
TO-247  
TO-264  
TO-268  
6
10  
4
g
g
g
Features  
l Low gate charge  
l International standard packages  
TestConditions  
Characteristic Values  
l
Epoxy meet UL 94 V-0, flammability  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
classification  
min. typ. max.  
l Low RDS (on) HDMOSTM process  
l Rugged polysilicon gate cell structure  
l Avalanche energy and current rated  
l Fast intrinsic Rectifier  
VDSS  
VGS = 0 V, ID = 250 uA  
VDS = VGS, ID = 4 mA  
150  
2.0  
V
V
VGS(th)  
4.0  
IGSS  
IDSS  
VGS = ±20 VDC, VDS = 0  
±100 nA  
25 mA  
Advantages  
VDS = VDSS  
VGS = 0 V  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
1
mA  
l
Easy to mount  
Space savings  
High power density  
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 0.5 • ID25  
22.5 mW  
l
Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %  
l
© 2000 IXYS All rights reserved  
98725 (05/31/00)  

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