是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-247 |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.68 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 1500 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 150 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 80 A | 最大漏极电流 (ID): | 80 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0225 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-247 | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 360 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 320 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXTH75N15 | IXYS |
类似代替 |
High Current Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode | |
IXTH88N15 | IXYS |
类似代替 |
High Current Power MOSFET | |
IXTT88N15 | IXYS |
功能相似 |
High Current Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFH80N20Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class | |
IXFH80N20Q | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFH80N25X3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFH80N25X3 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXFH80N60X2A | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXFH80N65X2 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXFH80N65X2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,具有最低的导通电阻,以及低栅极电荷和卓越的 | |
IXFH80N65X2-4 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXFH80N65X2-4 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXFH86N30T | IXYS |
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Trench HiperFET Power MOSFET |