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IXTH88N15

更新时间： 2024-11-18 03:44:47

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2页	115K
描述
High Current Power MOSFET

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IXTH88N15 数据手册

Advance Technical Information

IXTH 88N15

IXTT 88N15

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

= 150

High Current

Power MOSFET

22 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

TO-247AD(IXTH)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

150

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

I_D25

T_C= 25°C

I_{D M}

I_AR

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

352

TO-268 (IXTT) Case Style

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.5

(TAB)

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

P_D

T_C= 25°C

400

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Mounting torque

300

°C

International standard packages

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

Rugged polysilicon gate cell structure

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-247AD

TO-268

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Advantages

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Easy to mount

Space savings

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

V_DS= V_DSS

150

2.0

4.0

High power density

±100

I_DSS

T_J= 25°C

T_J= 125°C

µA

_GS= 0 V

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

R_DS(on)

22 mΩ

DS99034(04/03)

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IXTH88N15 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTH75N15	IXYS	类似代替	High Current Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXFH80N15Q	IXYS	类似代替	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXTT88N15	IXYS	功能相似	High Current Power MOSFET

与IXTH88N15相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTH88N30P	IXYS	获取价格	PolarHT Power MOSFET
IXTH88N30P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTH8P45	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-218VAR
IXTH8P50	IXYS	获取价格	Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTH8P50	LITTELFUSE	获取价格	P通道标准功率MOSFET的额定电压范围为-100V至-600V，并采用业内流行的TO-2
IXTH90N15T	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTH90N20X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXTH90P10P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH94N20X4	LITTELFUSE	获取价格	新型200V X4超级结MOSFET采用最新的超级结技术设计，适用于高效电源应用。其采用
IXTH96N20P	IXYS	获取价格	N-Channel Engancement Mode

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