Datasheet > IXTJ6N150

IXTJ6N150

更新时间： 2024-11-21 14:56:43

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关高压脉冲电源开关调节器
页数	文件大小	规格书
6页	184K
描述
高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉冲电路和电流调节器。功能与特色: 应用: 优点:

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTJ6N150 数据手册

High Voltage

Power MOSFET

V_DSS= 1500V

I_D25= 3A

R_DS(on) 3.85

IXTJ6N150

(Electrically Isolated Tab)

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

ISO TO-247^TM

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

1500

V_DGR

Isolated Tab

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

G = Gate

= Drain

S = Source

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

E_AS

T_C= 25C

500

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150C

T_C= 25C

V/ns

Features

125



Silicon Chip on Direct-Copper Bond

(DCB) Substrate

Isolated Mounting Surface

2500V~ Electrical Isolation

Fast Intrinsic Diode

Avalanche Rated

Molding Epoxies meet UL 94 V-0

Flammability Classification

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

C



T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C



F_C

Mounting Torque

1.13 / 10

Nm/lb.in

V_ISOL

50/60 Hz, RM, t = 1min

2500

Weight

Advantages



Easy to Mount

Space Savings

High Power Density



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1500

2.5

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250A

V_DS= V_GS, I_D= 250A

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V



High Voltage Power Supplies

Capacitor Discharge Applications



5.0



Pulse Circuits

100 nA

I_DSS

25 A

T_J= 125C

250 A

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 3A, Note 1

3.85



DS100448C(03/19)

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与IXTJ6N150相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTK100N25P	IXYS	获取价格	PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTK100N25P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTK102N30P	IXYS	获取价格	PolarHT Power MOSFET
IXTK102N30P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 102A I(D), 300V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTK102N65X2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTK102N65X2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTK110N20L2	LITTELFUSE	获取价格	这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正
IXTK110N30	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 300V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTK120N20P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTK120N25	IXYS	获取价格	High Current MegaMOSFET

与IXTJ6N150相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

25
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

17
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTJ6N150

IXTJ6N150 数据手册

与IXTJ6N150相关器件

与IXTJ6N150相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTJ6N150

IXTJ6N150 数据手册

与IXTJ6N150相关器件

与IXTJ6N150相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？