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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
8页 | 450K | |
描述 | ||
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能(Tc=@25oC)。 通过结合高电流额定值与紧凑的封装选择,这些尺寸更加小巧的器件能够控制更高的功率。 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTJ36N20 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 200V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXTJ36N20 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 200V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXTJ3N150 | LITTELFUSE |
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高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统,包括高压电源、电容放电电路、脉 | |
IXTJ4N150 | LITTELFUSE |
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高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统,包括高压电源、电容放电电路、脉 | |
IXTJ6N150 | LITTELFUSE |
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高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统,包括高压电源、电容放电电路、脉 | |
IXTK100N25P | IXYS |
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PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode | |
IXTK100N25P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTK102N30P | IXYS |
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PolarHT Power MOSFET | |
IXTK102N30P | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 102A I(D), 300V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IXTK102N65X2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |