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IXTI12N50P

更新时间： 2024-02-28 15:08:37

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	160K
描述
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263, PLASTIC, LEADED TO-263, 3 PIN

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IXTI12N50P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	PLASTIC, LEADED TO-263, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.76
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	600 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A
最大漏极电流 (ID)：	12 A	最大漏源导通电阻：	0.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	200 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	30 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTI12N50P 数据手册

Polar^TMPower MOSFET

IXTA12N50P

IXTI12N50P

IXTP12N50P

V_DSS= 500V

I_D25= 12A

R_DS(on)≤ 500mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 (IXTA)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

500

(TAB)

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

Leaded TO-263 (IXTI)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

I_A

E_AS

T_C= 25°C

600

(TAB)

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

200

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

TO-220 (IXTP)

T_L

1.6mm (0.062) from case for 10s

Plastic body for 10s

300

260

°C

T_SOLD

(TAB)

M_d

Mounting torque

Mounting force

(TO-220)

(TO-263)

1.13 / 10

10..65 / 2.2..14.6

Nm/lb.in.

N/lb.

G = Gate

S = Source

= Drain

Weight

TO-263

Leaded TO-263

TO-220

2.5

2.8

3.0

TAB = Drain

Features

^zInternational standard packages

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

Typ.

Max.

^zLow package inductance

easy to drive and to protect

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

500

3.0

5.5

Advantages

±100 nA

μA

Easy to mount

Space savings

High power density

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

T_J= 125°C

250 μA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

500 mΩ

DS99322F(04/08)

12 3 4 5

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IXTI12N50P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTP12N50P	IXYS	完全替代	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXFA12N50P	IXYS	类似代替	Polar Power MOSFET HiperFET

与IXTI12N50P相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXTI76N25T	IXYS	Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode	获取价格
IXTI90N055T2	LITTELFUSE	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能	获取价格
IXTJ36N20	LITTELFUSE	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 200V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IXTJ36N20	IXYS	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 200V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IXTJ3N150	LITTELFUSE	高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉	获取价格
IXTJ4N150	LITTELFUSE	高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉	获取价格

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