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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.9 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 9 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IXTI10N60P | IXYS | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXTI12N50P | LITTELFUSE | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IXTI12N50P | IXYS | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IXTI76N25T | IXYS | Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
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| IXTI90N055T2 | LITTELFUSE | 这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能 |
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| IXTJ36N20 | LITTELFUSE | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 200V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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