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IXTK100N25P

更新时间： 2024-11-05 03:13:43

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5页	610K
描述
PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

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IXTK100N25P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-264AA
包装说明：	TO-264, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	8.6	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	2000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (ID)：	100 A	最大漏源导通电阻：	0.027 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-264AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	250 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IXTK100N25P 数据手册

Advanced Technical Information

IXTQ 100N25P

IXTK 100N25P

IXTT 100N25P

V_DSS= 250 V

I_D25= 100 A

R_DS(on)= 27 mΩ

PolarHT^TM

Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

TO-3P(IXTQ)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

= 25°C to 150°C

250

T^J_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

(TAB)

V_GSM

G = Gate,

D = Drain,

TAB = Drain

I_D25

T_C= 25°C

100

S = Source,

I_D(RMS)

I_DM

External lead current limit

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

TO-268 (IXTT)

250

I_AR

T_C= 25°C

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

2.0

D (TAB)

TO-264(SP) (IXTK)

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 4 Ω

V/ns

T_C= 25°C

600

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

D (TAB)

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Mounting torque

300

°C

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

Features

Weight

TO-3P

5.5

TO-264

TO-268

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

250

Advantages

2.5

5.0

Easy to mount

100 nA

Space savings

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

25 µA

250 µA

High power density

T_J= 125°C

PolarHT^TMDMOStransistors

utilize proprietary designs and

process. US patent is pending.

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

27 mΩ

DS99118B(07/04)

12 3 4 5

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IXTK100N25P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFH100N25P	IXYS	类似代替	PolarHT HiPerFET Power MOSFET
IXTQ100N25P	IXYS	功能相似	PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTT100N25P	IXYS	功能相似	PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

与IXTK100N25P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTK102N30P	IXYS	获取价格	PolarHT Power MOSFET
IXTK102N30P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 102A I(D), 300V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTK102N65X2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTK102N65X2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTK110N20L2	LITTELFUSE	获取价格	这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正
IXTK110N30	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 300V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTK120N20P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTK120N25	IXYS	获取价格	High Current MegaMOSFET
IXTK120N25P	IXYS	获取价格	PolarHT Power MOSFET
IXTK120N25P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡

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