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IXTJ4N150

更新时间： 2024-11-06 14:56:39

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力特 - LITTELFUSE		开关高压脉冲电源开关调节器
页数	文件大小	规格书
6页	187K
描述
高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉冲电路和电流调节器。功能与特色: 应用: 优点:

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IXTJ4N150 数据手册

High Voltage

Power MOSFET

V_DSS= 1500V

I_D25= 2.5A

R_DS(on) 6

IXTJ4N150

(Electrically Isolated Tab)

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

ISO TO-247^TM

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

1500

V_DGR

Isolated Tab

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

G = Gate

S = Source

= Drain

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

2.5

I_A

E_AS

T_C= 25C

350

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150C

T_C= 25C

V/ns

Features

110



Silicon Chip on Direct-Copper Bond

(DCB) Substrate

Isolated Mounting Surface

2500V~ Electrical Isolation

Fast Intrinsic Diode

Avalanche Rated

Molding Epoxies meet UL 94 V-0

Flammability Classification

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

C



T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



M_d

Mounting Torque

1.13/10

Nm/lb.in

Weight

Advantages



Easy to Mount

Space Savings

High Power Density



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1500

2.5

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250A

V_DS= V_GS, I_D= 250A

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V



High Voltage Power Supplies

Capacitor Discharge Applications



5.0



Pulse Circuits

100 nA

I_DSS

10 A

T_J= 125C

100 A

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 2A, Note 1



DS100449C(12/17)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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