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IXTH94N20X4

更新时间： 2024-10-03 14:56:15

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅栅极
页数	文件大小	规格书
6页	772K
描述
新型200V X4超级结MOSFET采用最新的超级结技术设计，适用于高效电源应用。其采用TO-247和TO-268HV封装。它们提供了较低的RDS(on)，同时减少了栅极和输出电荷，从而允许在给定频率下进行更有效的切换。? 功能与特色: 应用: ?

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IXTH94N20X4 数据手册

X4-Class

V_DSS= 200V

I_D25= 94A

IXTH94N20X4

Power MOSFET^TM

R_DS(on) 10.6m

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-247

(IXTH)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 175C

200

D (Tab)

V_DGR

T_J= 25C to 175C, R_GS= 1M

G = Gate

S = Source

= Drain

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

Tab = Drain

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

220

Features

I_A

T_C= 25C

E_AS



International Standard Package

Low R_DS(ON)and Q_G



dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

Avalanche Rated

360

Low Package Inductance

T_J

-55 ... +175

175

C

T_JM

T_stg

Advantages

-55 ... +175



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

T_L

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10s

300

°C



M_d

Mounting Torque

1.13 / 10

Nm/lb.in

Weight

Applications



Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



Robotics and Servo Controls

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250µA

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

200

2.5

4.5

100 nA

I_DSS

20 A

T_J= 150C

500 µA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

10.6 m

DS101011C(10/22)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTH96N20P	IXYS	获取价格	N-Channel Engancement Mode
IXTH96N20P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTH96N25T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTH96P085T	IXYS	获取价格	TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode
IXTH96P085T	LITTELFUSE	获取价格	Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱
IXTH9N100	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH9N95	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTI10N60P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTI12N50P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXTI12N50P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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