5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-247AD |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 8.53 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1000 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 85 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 96 A | 最大漏极电流 (ID)： | 96 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.013 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-247AD | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 298 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 300 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXTP96P085T | IXYS |
完全替代  |
TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode |
|
| IXTA96P085T | IXYS |
完全替代 |
TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTH9N100 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
| IXTH9N95 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
| IXTI10N60P | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IXTI12N50P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IXTI12N50P | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IXTI76N25T | IXYS |
获取价格 |
Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
|
| IXTI90N055T2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能 |
|
| IXTJ36N20 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 200V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IXTJ36N20 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 200V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IXTJ3N150 | LITTELFUSE |
获取价格 |
高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
