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IXTK120N25P

更新时间: 2024-11-18 03:13:43
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IXYS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
5页 162K
描述
PolarHT Power MOSFET

IXTK120N25P 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:TO-264AA
包装说明:TO-264, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:4.27其他特性:AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas):2.5 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):120 A最大漏极电流 (ID):120 A
最大漏源导通电阻:0.024 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-264AAJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e1元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):700 W最大脉冲漏极电流 (IDM):300 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IXTK120N25P 数据手册

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PolarHTTM  
Power MOSFET  
VDSS = 250 V  
ID25 = 120 A  
RDS(on) 24 mΩ  
IXTK 120N25P  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TO-264 (IXTK)  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25° C to 175° C  
TJ = 25° C to 175° C; RGS = 1 MΩ  
250  
250  
V
V
VGS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
ID25  
TC =25° C  
120  
75  
A
A
A
G
(TAB)  
ID(RMS)  
IDM  
External lead current limit  
TC = 25° C, pulse width limited by TJM  
S
300  
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
TAB = Drain  
IAR  
TC =25° C  
60  
A
EAR  
EAS  
TC =25° C  
TC =25° C  
60  
mJ  
J
2.5  
dv/dt  
PD  
IS IDM, di/dt 100 A/µs, VDD VDSS  
TJ 150° C, RG = 4 Ω  
,
10  
V/ns  
Features  
TC =25° C  
700  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
l
International standard package  
Unclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
Low package inductance  
- easy to drive and to protect  
l
l
TL  
TSOLD  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Plastic body for 10 s  
300  
260  
°C  
°C  
Md  
Mounting torque  
1.13/10 Nm/lb.in.  
10  
Advantages  
Weight  
g
l
Easy to mount  
Space savings  
High power density  
l
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
l
(TJ = 25° C, unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 250 µA  
VDS = VGS, ID = 500µA  
VGS = 20 VDC, VDS = 0  
250  
V
V
2.5  
5.0  
200  
nA  
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0 V  
25  
250  
µA  
µA  
TJ = 125° C  
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 0.5 ID25  
19  
24 mΩ  
Pulse test, t 300 µs, duty cycle d 2 %  
DS99175E(12/05)  
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