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IXTK20N140

更新时间： 2024-02-29 19:10:24

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IXYS		/
页数	文件大小	规格书
5页	131K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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IXTK20N140 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1250 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

IXTK20N140 数据手册

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Advance Technical Information

High Voltage Power

MOSFETs w/ Extended

FBSOA

V_DSS

I_D25

R_DS(on)< 1Ω

= 1400V

= 20A

IXTK20N140

IXTX20N140

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Guaranteed FBSOA

TO-264 (IXTK)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

1400

1400

V

V

G

D

S

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

V

V

Tab

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

20

50

A

A

PLUS247 (IXTX)

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

T_C= 25°C

T_C= 25°C

10

A

J

E_AS

2.5

G

P_D

T_C= 25°C

1250

W

D

S

Tab

T_J

-55 to +150

150

°C

°C

°C

T_JM

T_stg

G = Gate

S = Source

D

= Drain

Tab = Drain

-55 to +150

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

°C

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-264)

Mounting Force (PLUS247)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

Features

20..120 /4.5..27

Weight

TO-264

PLUS247

10

6

g

g

^zAvalanche Rated

^zFast Intrinsic Diode

^zGuaranteed FBSOA at 75°C

^zLow Package Inductance

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Advantages

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

1400

2.5

V

V

z

Easy to Mount

Space Savings

4.5

z

±200 nA

I_DSS

50 μA

500 μA

Applications

T_J= 125°C

^zHigh Voltage Power Supplies

^zCapacitor Discharge

^zPulse Circuits

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

1

Ω

DS100368(07/11)

© 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved

12 3 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXTK20N150	IXYS	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 1500V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal	获取价格
IXTK20N150	LITTELFUSE	高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉	获取价格
IXTK210P10T	IXYS	Power Field-Effect Transistor, 210A I(D), 100V, 0.0075ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon,	获取价格
IXTK210P10T	LITTELFUSE	Power Field-Effect Transistor,	获取价格
IXTK21N100	IXYS	High Voltage MegaMOSTMFETs	获取价格
IXTK22N100L	LITTELFUSE	Power Field-Effect Transistor,	获取价格

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