5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXTK20N140
IXTK20N140 PDF预览

IXTK20N140

更新时间： 2024-11-18 21:11:55
品牌 Logo 应用领域
IXYS /
页数 文件大小 规格书
5页 131K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXTK20N140 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1250 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
Base Number Matches：1

IXTK20N140 数据手册

 浏览型号IXTK20N140的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXTK20N140的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXTK20N140的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXTK20N140的Datasheet PDF文件第5页 
Advance Technical Information  
High Voltage Power  
MOSFETs w/ Extended  
FBSOA  
VDSS  
ID25  
RDS(on) < 1Ω  
= 1400V  
= 20A  
IXTK20N140  
IXTX20N140  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
Guaranteed FBSOA  
TO-264 (IXTK)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25°C to 150°C  
1400  
1400  
V
V
G
D
S
VDGR  
TJ = 25°C to 150°C, RGS = 1MΩ  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
±30  
±40  
V
V
Tab  
ID25  
IDM  
TC = 25°C  
20  
50  
A
A
PLUS247 (IXTX)  
TC = 25°C, Pulse Width Limited by TJM  
IA  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
10  
A
J
EAS  
2.5  
G
PD  
TC = 25°C  
1250  
W
D
S
Tab  
TJ  
-55 to +150  
150  
°C  
°C  
°C  
TJM  
Tstg  
G = Gate  
S = Source  
D
= Drain  
Tab = Drain  
-55 to +150  
TL  
TSOLD  
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s  
Plastic Body for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Md  
FC  
Mounting Torque (TO-264)  
Mounting Force (PLUS247)  
1.13/10  
Nm/lb.in.  
N/lb.  
Features  
20..120 /4.5..27  
Weight  
TO-264  
PLUS247  
10  
6
g
g
z Avalanche Rated  
z Fast Intrinsic Diode  
z Guaranteed FBSOA at 75°C  
z Low Package Inductance  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Min. Typ. Max.  
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)  
Advantages  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 1mA  
VDS = VGS, ID = 1mA  
VGS = ±30V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
1400  
2.5  
V
V
z
Easy to Mount  
Space Savings  
4.5  
z
±200 nA  
IDSS  
50 μA  
500 μA  
Applications  
TJ = 125°C  
z High Voltage Power Supplies  
z Capacitor Discharge  
z Pulse Circuits  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25, Note 1  
1
Ω
DS100368(07/11)  
© 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
12345

中文翻译

下载PDF

与IXTK20N140相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTK20N150 IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 1500V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXTK20N150 LITTELFUSE

获取价格

 		高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉
IXTK210P10T IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 210A I(D), 100V, 0.0075ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon,
IXTK210P10T LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXTK21N100 IXYS

获取价格

 		High Voltage MegaMOSTMFETs
IXTK22N100L LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXTK22N100L IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 1000V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTK240N075L2 IXYS

获取价格

 		MOSFET N-CH
IXTK240N075L2 LITTELFUSE

获取价格

 		这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正
IXTK250N10 IXYS

获取价格

 		High Current MegaMOSFET

与IXTK20N140相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证