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IXTK20N140

更新时间： 2024-01-30 09:53:41

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5页	131K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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IXTK20N140 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1250 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

IXTK20N140 数据手册

IXTK20N140

IXTX20N140

Fig. 8. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode

Fig. 7. Transconductance

T_J= - 40ºC

25ºC

125ºC

T_J= 125ºC

T_J= 25ºC

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

I_D- Amperes

V_SD- Volts

Fig. 9. Gate Charge

Fig. 10. Capacitance

100,000

10,000

1,000

100

V_DS= 700V

I _D= 10A

= 1 MHz

I _G= 10mA

iss

oss

rss

100

120

140

160

180

200

220

V_DS- Volts

Q_G- NanoCoulombs

Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area

@ T_C= 75ºC

Fig. 11. Forward-Bias Safe Operating Area

@ T_C= 25ºC

100

R_DS(on)Limit

25µs

100µs

1ms

100µs

1ms

10ms

T_J= 150ºC

_C= 75ºC

Single Pulse

100ms

T_C= 25ºC

100ms

Single Pulse

0.1

100

1,000

10,000

100

1,000

10,000

V_DS- Volts

IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

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