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IXTK20N140

更新时间： 2024-02-02 15:11:20

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5页	131K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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IXTK20N140 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1250 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

IXTK20N140 数据手册

IXTK20N140

IXTX20N140

Fig. 2. Output Characteristics @ T_J= 125ºC

Fig. 1. Output Characteristics @ T_J= 25ºC

V_GS= 10V

V_DS- Volts

Fig. 3. R_DS(on)Normalized to I_D= 10A Value vs.

Junction Temperature

Fig. 4. R_DS(on)Normalized to I_D= 10A Value vs.

Drain Current

3.0

2.6

2.2

1.8

1.4

1.0

0.6

0.2

2.6

2.4

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

V_GS= 10V

T_J= 125ºC

I _D= 20A

I _D= 10A

T_J= 25ºC

-50

-25

100

125

150

I_D- Amperes

T_J- Degrees Centigrade

Fig. 5. Maximum Drain Current vs.

Case Temperature

Fig. 6. Input Admittance

T_J= 125ºC

25ºC

- 40ºC

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

5.5

6.0

-50

-25

100

125

150

T_C- Degrees Centigrade

V_GS- Volts

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