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IXTK22N100L

更新时间： 2024-11-18 19:15:23

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力特 - LITTELFUSE		/
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6页	165K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTK22N100L 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
Base Number Matches：	1

IXTK22N100L 数据手册

Linear^TMPower MOSFET

w/ Extended FBSOA

V_DSS= 1000V

I_D25= 22A

R_DS(on)≤ 600mΩ

IXTK22N100L

IXTX22N100L

N-Channel Enhancement Mode

AvalancheRated

TO-264(IXTK)

Symbol

V_DSS

TestConditions

MaximumRatings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

1000

Tab

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

PLUS247(IXTX)

I_D25

I_DM

T_C=25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

T_C=25°C

Tab

E_AS

1.5

P_D

T_C=25°C

700

G = Gate

= Drain

S = Source

Tab = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

1.6mm (0.063 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Features

T_SOLD

• Designed for Linear Operation

• AvalancheRated

• Molding Epoxy Meets UL94 V-0

FlammabilityClassification

M_d

F_C

Mounting Torque (IXTK)

Mounting Force (IXTX)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

20..120 / 4.5..27

Weight

TO-264

PLUS247

Advantages

• Easy to Mount

• SpaceSavings

• High Power Density

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1000

3.0

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS,V_GS= 0V

Applications

5.5

• ProgrammableLoads

• CurrentRegulators

• DC-DCConverters

• BatteryChargers

• DCChoppers

• Temperature and Lighting Controls

±200 nA

I_DSS

50 μA

1 mA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 20V, I_D= 0.5 • I_DSS, Note 1

600 mΩ

DS99293D(10/10)

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