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| 力特 - LITTELFUSE |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 6页 | 125K |  |
| 描述 | ||
| Power Field-Effect Transistor, | ||
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-264AA |
| 包装说明： | TO-264, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 8.5 |
| Samacsys Description： | MOSFET -32 Amps -600V 0.350 Rds | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 3500 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 32 A | 最大漏极电流 (ID)： | 32 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.35 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-264AA | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 890 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 96 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IXTK33N45 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-264AA |
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| IXTK33N50 | IXYS | High Current MegaMOSFET |
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| IXTK33N50 | LITTELFUSE | 高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉 |
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| IXTK3N250L | LITTELFUSE | 当功率MOSFET用于线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应力和电应力，这是 |
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| IXTK400N15X4 | LITTELFUSE | Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTK40P50P | IXYS | P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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