Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IXTK600N04T2

IXTK600N04T2

更新时间： 2024-11-18 12:18:47

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IXYS		晶体二极管晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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6页	216K
描述
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode

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IXTK600N04T2 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-264AA	包装说明：	PLASTIC, TO-264, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.75
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	3000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	600 A
最大漏极电流 (ID)：	600 A	最大漏源导通电阻：	0.0015 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-264AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	1600 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTK600N04T2 数据手册

Advance Technical Information

TrenchT2^TMGigaMOS^TM

Power MOSFET

V_DSS= 40V

I_D25= 600A

R_DS(on)≤ 1.5mΩ

IXTK600N04T2

IXTX600N04T2

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-264 (IXTK)

Fast Intrinsic Diode

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

Tab

V_GSM

Transient

± 20

PLUS247 (IXTX)

I_D25

I_L(RMS)

I_DM

T_C= 25°C (Chip Capability)

External Lead Current Limit

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

600

160

1600

I_A

E_AS

T_C= 25°C

200

Tab

P_D

T_C= 25°C

1250

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

°C

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Features

^zInternational Standard Packages

^zHigh Current Handling Capability

^zFast Intrinsic Diode

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-264)

Mounting Force (PLUS247)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

20..120 /4.5..27

Weight

TO-264

PLUS247

^zAvalanche Rated

Low R_DS(on)

Advantages

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250µA

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

^zDC-DC Converters and Off-Line UPS

^zPrimary-Side Switch

^zHigh Speed Power Switching

Applications

1.5

3.5

± 200 nA

10 µA

I_DSS

T_J= 150°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 100A, Notes 1 & 2

1.5 mΩ

DS100209(11/09)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTX600N04T2	IXYS	功能相似	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode

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