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IXTK75N30

更新时间： 2024-01-20 12:33:39

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	121K
描述
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 300V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, TO-264AA, 3 PIN

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IXTK75N30 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-264AA
包装说明：	TO-264AA, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	300 V	最大漏极电流 (ID)：	75 A
最大漏源导通电阻：	0.042 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-264AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTK75N30 数据手册

Advance Technical Information

IXTK 75N30

V_DSS= 300 V

High Current

MegaMOS^TMFET

I_D25

= 75 A

R_DS(on)= 42 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Symbol

Testconditions

Maximum ratings

TO-264AA(IXTK)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

300

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1.0 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

D (TAB)

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

300

G = Gate

S = Source

= Drain

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

2.5

Tab = Drain

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

P_D

T_J

T_C= 25°C

540

-55 ... +150

°C

T_JM

T_stg

150

-55 ... +150

°C

Features

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

Mountingtorque

300

0.7/6

°C

Nm/lb.in.

M_d

•Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

•Ruggedpolysilicongatecellstructure

•Internationalstandardpackage

•Fastswitchingtimes

Weight

TO-264

Applications

Symbol Test Conditions

Characteristic Values

•Motorcontrols

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

•DC choppers

•Switched-mode power supplies

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 1 mA

300

Advantages

V_DS= V_GS, I_D= 250 µA

V_GS= ±20 V DC, V_DS= 0

2.0

4.0

±100 nA

•Easy to mount with one screw

(isolatedmountingscrewhole)

•Space savings

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

50 µA

•High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

42 mΩ

Pulse test, t ≤ 300 ms, duty cycle d ≤ 2%

DS99012(03/03)

12 3 4

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