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IXTK82N25P

更新时间： 2024-02-18 23:00:42

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5页	610K
描述
PolarHT Power MOSFET

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IXTK82N25P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.74	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (ID)：	82 A	最大漏源导通电阻：	0.035 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-264AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTK82N25P 数据手册

PolarHT^TM

Power MOSFET

IXTQ 82N25P

IXTT 82N25P

IXTK 82N25P

V_DSS= 250 V

I_D25= 82

R_DS(on)= 35 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Preliminary Data Sheet

TO-264 (IXTK)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

= 25°C to 150°C

250

T^J_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GSM

(TAB)

I_D25

I_D(RMS)

= 25°C

E^Cxternal lead current limit

TO-3P(IXTQ)

I_DM

I_AR

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

250

T_C= 25°C

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.0

(TAB)

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 4 Ω

V/ns

TO-268 (IXTT)

T_C= 25°C

500

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

D (TAB)

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Mounting torque

300

°C

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-3P

TO-264

TO-268

5.5

5.0

Features

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

250

Advantages

2.5

5.0

Easy to mount

100

Space savings

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

µA

High power density

T_J= 125°C

PolarHT^TMDMOStransistors

utilize proprietary designs and

process. US patent is pending.

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

35 mΩ

DS99121B(04/04)

12 3 4 5

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