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IXTK62N25

更新时间： 2024-02-18 16:35:43

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描述
High Current MegaMOSFET

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IXTK62N25 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.45	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	250 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	62 A
最大漏极电流 (ID)：	62 A	最大漏源导通电阻：	0.035 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-264AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	390 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	248 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IXTK62N25 数据手册

Advance Technical Information

IXTK 62N25

V_DSS= 250 V

I_D25= 62 A

R_DS(on)= 35 mΩ

High Current

MegaMOS^TMFET

N-Channel Enhancement Mode

Symbol

Testconditions

Maximum ratings

TO-264AA(IXTK)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

250

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1.0 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

V_GSM

D (TAB)

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

248

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

P_D

T_J

T_C= 25°C

390

-55 ... +150

°C

T_JM

T_stg

150

-55 ... +150

°C

Features

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

Mountingtorque

300

0.7/6

°C

Nm/lb.in.

M_d

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Ruggedpolysilicongatecellstructure

• Internationalstandardpackage

• Fastswitchingtimes

Weight

TO-264

Applications

Symbol Test Conditions

Characteristic Values

• Motorcontrols

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

• DC choppers

• Switched-mode power supplies

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 1 mA

250

Advantages

V_DS= V_GS, I_D= 250 µA

V_GS= 20 V DC, V_DS= 0

100 nA

• Easy to mount with one screw

(isolatedmountingscrewhole)

• Space savings

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

50 µA

• High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I = 0.5 I_D25

35 mΩ

Pulse test, t ≤^D300 ms, duty cycle d ≤ 2%

98877A (02/02)

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