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IXTK82N25P

更新时间: 2024-11-18 14:56:27
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力特 - LITTELFUSE /
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6页 185K
描述
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。 这些器件包含了Polar技术平台,以实现低导通电阻(Rdson)。 Polar标准MOS

IXTK82N25P 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.74其他特性:AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas):1000 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:250 V
最大漏极电流 (ID):82 A最大漏源导通电阻:0.035 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-264AA
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e1
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):200 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IXTK82N25P 数据手册

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VDSS = 250V  
ID25 = 82A  
RDS(on) 38m  
PolarTM  
Power MOSFET  
IXTT82N25P  
IXTQ82N25P  
IXTK82N25P  
TO-268 (IXTT)  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
G
S
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
D (Tab)  
TJ = 25C to 150C  
250  
250  
V
V
TO-3P( IXTQ)  
VDGR  
TJ = 25C to 150C, RGS = 1M  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
G
D
S
ID25  
ILRMS  
TC = 25C  
Lead Current Limit  
82  
75  
A
A
D (Tab)  
IDM  
PD  
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
TC = 25C  
200  
500  
A
TO-264 (IXTK)  
W
TJ  
-55 ... +150  
150  
C  
C  
C  
TJM  
Tstg  
G
D
S
-55 ... +150  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
D (Tab)  
G = Gate  
S = Source  
D
= Drain  
Md  
Mounting Torque (TO-3P&TO-264)  
1.13 / 10  
Nm/lb.in  
Tab = Drain  
Weight  
TO-268  
TO-3P  
TO-264  
4.0  
5.5  
10.0  
g
g
g
Features  
Fast Intrinsic Rectifier  
Avalanche Rated  
Low RDS(ON) and QG  
Low Package Inductance  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Advantages  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
250  
2.5  
Typ.  
Max.  
High Power Density  
Easy to Mount  
Space Savings  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250μA  
VDS = VGS, ID = 250μA  
V
V
5.0  
VGS = 20V, VDS = 0V100 nA  
Applications  
IDSS  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
25 A  
TJ = 125C  
250 A  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
Power Supplies  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 0.5 ID25, Note 1  
38 m  
DC-DC Converters  
Laser Drivers  
AC and DC Motor Drives  
Robotics and Servo Controls  
DS99121F(7/14)  
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