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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 275K | |
描述 | ||
Power Field-Effect Transistor, |
生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.75 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTK40P50P | IXYS |
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P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTK40P50P | LITTELFUSE |
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Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造,相比传统产品将通态电阻( | |
IXTK46N50L | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTK46N50L | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 500V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXTK550N055T2 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 550A I(D), 55V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IXTK550N055T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能 | |
IXTK5N250 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 2500V, 8.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
IXTK5N250 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTK600N04T2 | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode | |
IXTK600N04T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能 |