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IXTK90N25L2

更新时间： 2024-09-25 14:56:51

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力特 - LITTELFUSE		开关
页数	文件大小	规格书
6页	162K
描述
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。当功率MOSFET以线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应

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IXTK90N25L2 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.75
Base Number Matches：	1

IXTK90N25L2 数据手册

LinearL2^TM

Power MOSFET

w/ Extended FBSOA

V_DSS

I_D25

= 250V

= 90A

IXTK90N25L2

IXTX90N25L2

R_DS(on)< 36m

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-264 (IXTK)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

250

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

Tab

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

PLUS247 (IXTX)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

360

I_A

E_AS

T_C= 25C

Tab

P_D

T_C= 25C

960

T_J

-55...+150

150



C

G = Gate

S = Source

= Drain

T_JM

T_stg

Tab = Drain

-55...+150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-264)

Mounting Force (PLUS247)

1.13/10

Nm/lb.in

N/lb

20..120 /4.5..27

Features

Weight

TO-264

PLUS247

^Designed for Linear Operation

^International Standard Packages

^Avalanche Rated

^Guaranteed FBSOA at 75C

Advantages

 Easy to Mount

 Space Savings

 High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 3mA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

250

^Solid State Circuit Breakers

^Soft Start Controls

^Linear Amplifiers

^Programmable Loads

^Current Regulators

2.0

4.5

200 nA

I_DSS

50  A

2.5 mA

T_J= 125C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

36 m

DS100080A(4/16)

12 3 4 5 6

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