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IXTK40P50P

更新时间： 2024-01-27 13:07:09

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5页	127K
描述
P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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IXTK40P50P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-264AA
包装说明：	TO-264, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	4.53	Samacsys Description：	MOSFET -40.0 Amps -500V 0.230 Rds
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	3500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	40 A
最大漏极电流 (ID)：	40 A	最大漏源导通电阻：	0.23 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-264AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	890 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IXTK40P50P 数据手册

PolarP^TM

Power MOSFETs

V_DSS= - 500V

I_D25= - 40A

IXTK40P50P

IXTX40P50P

R_DS(on)

≤

230mΩ

P-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-264 (IXTK)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

Tab

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

- 500

V_DGR

PLUS247 (IXTX)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

- 40

- 120

I_A

T_C= 25°C

- 40

3.5

Tab

E_AS

G = Gate

S = Source

= Drain

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

Tab = Drain

890

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Features

^zInternational Standard Packages

^zRugged PolarP^TMProcess

^zAvalanche Rated

M_d

Mounting Force

Mounting Torque

(PLUS247)

(TO-264)

20..120/4.5..27

N/lb.

Nm/lb.in.

1.13/10

Weight

PLUS247

TO-264

^zFast Intrinsic Diode

^zLow Package Inductance

Advantages

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

- 500

- 2.0

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= - 250μA

V_DS= V_GS, I_D= -1mA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

Applications

- 4.0

High-Side Switches

Push Pull Amplifiers

DC Choppers

Automatic Test Equipment

±100 nA

I_DSS

- 50 μA

T_J= 125°C

- 250 μA

Current Regulators

R_DS(on)

V_GS= -10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

230 mΩ

DS99935C(01/13)

12 3 4 5

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IXTK40P50P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTX40P50P	IXYS	完全替代	Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

与IXTK40P50P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTK46N50L	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTK46N50L	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 500V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTK550N055T2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 550A I(D), 55V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTK550N055T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTK5N250	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 2500V, 8.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXTK5N250	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTK600N04T2	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
IXTK600N04T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTK60N50L2	IXYS	获取价格	LinearL2 Power MOSFET w/Extended FBSOA
IXTK60N50L2	LITTELFUSE	获取价格	这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正

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