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IXTK8N150L

更新时间： 2024-11-05 19:54:27

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IXYS		/
页数	文件大小	规格书
5页	148K
描述
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 1500V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, PLASTIC, TO-264, 3 PIN

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IXTK8N150L 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-264AA	包装说明：	PLASTIC, TO-264, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	8.51	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8 A
最大漏极电流 (ID)：	8 A	最大漏源导通电阻：	3.6 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-264AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	700 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTK8N150L 数据手册

Preliminary Technical Information

Linear Power MOSFET

w/Extended FBSOA

V_DSS

I_D25

= 1500V

= 8A

IXTK8N150L

IXTX8N150L

R_DS(on)< 3.6Ω

N-Channel Enhancement Mode

Guaranteed FBSOA

TO-264(IXTK)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

1500

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

(TAB)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

PLUS247(IXTX)

P_D

T_C= 25°C

700

T_J

-55 to +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 to +150

(TAB)

Drain

T_L

1.6mm (0.063 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

T_SOLD

G = Gate

M_d

F_C

Mounting Torque (IXTK)

Mounting Force (IXTX)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

S = Source

TAB = Drain

20..120 / 4.5..27

Weight

TO-264

PLUS247

Features

^zDesigned for Linear Operations

^zInternational Standard Packages

^zGuaranteed FBSOA at 60°C

^zMolding Epoxies Meet UL94 V-0

Flammability Classification

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

Applications

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

^zProgrammable Loads

^zCurrent Regulators

^zDC-DC Convertors

^zBattery Chargers

BV_DSS

V_GS(th)

V_GS= 0V, I_D= 1mA

1500

5.0

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

8.0

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

±200 nA

^zDC Choppers

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

50 μA

3 mA

^zTemperature and Lighting Controls

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 20V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

3.6

Advantages

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

DS99616A(2/09)

12 3 4 5

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