IXTK80N25

更新时间： 2024-02-25 03:13:14

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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High Current MegaMOSTM FET

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IXTK80N25 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	250 V	最大漏极电流 (ID)：	80 A
最大漏源导通电阻：	0.033 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-264AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	320 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTK80N25 数据手册

IXTK 80N25 V_DSS= 250 V

High Current

MegaMOS^TMFET

I_D25

= 80 A

R_DS(on)= 33 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

PreliminaryDataSheet

Symbol

Testconditions

Maximum ratings

TO-264AA(IXTK)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1.0 MΩ

250

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

D (TAB)

I_D25

I_D(RMS)

I_DM

= 25°C MOSFET chip capability

E^Cxternal lead current limit

= 25°C, pulse width limited by T_JM

320

I_AR

T^C_C= 25°C

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

E_AR

E_AS

= 25°C

2.5

T^C_C= 25°C

Features

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Rugged polysilicon gate cell structure

• International standard package

• Fast switching times

P_D

T_J

T_C= 25°C

540

-55 ... +150

°C

T_JM

T_stg

150

-55 ... +150

°C

Applications

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

Mountingtorque

300

0.7/6

°C

Nm/lb.in.

• Motor controls

M_d

• DC choppers

Weight

TO-264

• Switched-mode power supplies

Advantages

• Easy to mount with one screw

(isolated mounting screw hole)

• Space savings

Symbol Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

• High power density

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 1 mA

250

V_DS= V_GS, I_D= 250 µA

V_GS= ±20 V DC, V_DS= 0

2.0

4.0

±100 nA

I_DSS

V_DS= V

T = 25°C

50 µA

V_GS= 0 ^DV^SS

T_J^J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I = 0.5 I

33 mΩ

Pulse test, t ≤^D300 ms^D,²d⁵uty cycle d ≤ 2%

DS98953A(11/03)

12 3 4 5

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