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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-264AA |
| 包装说明： | PLASTIC, TO-264, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 8.5 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 2500 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 2500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5 A | 最大漏源导通电阻： | 8.8 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-264AA |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 960 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTK600N04T2 | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode |
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| IXTK600N04T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能 |
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| IXTK60N50L2 | IXYS |
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LinearL2 Power MOSFET w/Extended FBSOA |
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| IXTK60N50L2 | LITTELFUSE |
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这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正 |
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| IXTK62N25 | IXYS |
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High Current MegaMOSFET |
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| IXTK74N20 | IXYS |
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High Current MegaMOSFET |
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| IXTK75N30 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 300V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXTK75N30 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 300V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXTK80N25 | IXYS |
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High Current MegaMOSTM FET |
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| IXTK80N30L2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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