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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-264AA | 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.72 | 其他特性： | AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1500 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 1000 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 22 A | 最大漏极电流 (ID)： | 22 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.6 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-264AA | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 700 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 50 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXTX22N100L | IXYS |
完全替代  |
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 1000V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXTN22N100L | IXYS |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 1000V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTK240N075L2 | IXYS |
获取价格 |
MOSFET N-CH |
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| IXTK240N075L2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正 |
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| IXTK250N10 | IXYS |
获取价格 |
High Current MegaMOSFET |
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| IXTK32P60P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTK32P60P | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 600V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IXTK33N45 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-264AA |
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| IXTK33N50 | IXYS |
获取价格 |
High Current MegaMOSFET |
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| IXTK33N50 | LITTELFUSE |
获取价格 |
高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉 |
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| IXTK3N250L | LITTELFUSE |
获取价格 |
当功率MOSFET用于线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应力和电应力，这是 |
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| IXTK400N15X4 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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