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IXTX22N100L

更新时间： 2024-11-18 19:43:35

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IXYS		/
页数	文件大小	规格书
5页	162K
描述
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 1000V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC PACKAGE-3

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IXTX22N100L 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	4.48
其他特性：	AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1000 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	22 A
最大漏极电流 (ID)：	22 A	最大漏源导通电阻：	0.6 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	700 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	50 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTX22N100L 数据手册

Linear^TMPower MOSFET

w/ Extended FBSOA

V_DSS= 1000V

I_D25= 22A

R_DS(on)≤ 600mΩ

IXTK22N100L

IXTX22N100L

N-Channel Enhancement Mode

AvalancheRated

TO-264(IXTK)

Symbol

V_DSS

TestConditions

MaximumRatings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

1000

Tab

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

PLUS247(IXTX)

I_D25

I_DM

T_C=25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

T_C=25°C

Tab

E_AS

1.5

P_D

T_C=25°C

700

G = Gate

= Drain

S = Source

Tab = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

1.6mm (0.063 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Features

T_SOLD

• Designed for Linear Operation

• AvalancheRated

• Molding Epoxy Meets UL94 V-0

FlammabilityClassification

M_d

F_C

Mounting Torque (IXTK)

Mounting Force (IXTX)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

20..120 / 4.5..27

Weight

TO-264

PLUS247

Advantages

• Easy to Mount

• SpaceSavings

• High Power Density

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1000

3.0

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS,V_GS= 0V

Applications

5.5

• ProgrammableLoads

• CurrentRegulators

• DC-DCConverters

• BatteryChargers

• DCChoppers

• Temperature and Lighting Controls

±200 nA

I_DSS

50 μA

1 mA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 20V, I_D= 0.5 • I_DSS, Note 1

600 mΩ

DS99293D(10/10)

12 3 4 5

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IXTX22N100L 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTK22N100L	IXYS	完全替代	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 1000V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTN22N100L	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 1000V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

与IXTX22N100L相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTX240N075L2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTX240N075L2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
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IXTX24N100	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 1000V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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