Datasheet > IXTX90P20P

IXTX90P20P

更新时间： 2024-11-21 14:56:55

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关栅栅极
页数	文件大小	规格书
6页	152K
描述
Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造，相比传统产品将通态电阻(RDSon)显著降低30%，并将栅极电荷(Qg)降低40%，从而降低了传导损失，并能提供出色的开关性能。

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTX90P20P 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.73
Base Number Matches：	1

IXTX90P20P 数据手册

PolarP^TM

Power MOSFET

V_DSS= - 200V

I_D25= - 90A

IXTK90P20P

IXTX90P20P

R_DS(on)



44m

P-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-264 (IXTK)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

- 200

Tab

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

PLUS247 (IXTX)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

- 90

- 270

I_A

E_AS

T_C= 25C

- 90

3.5

Tab

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150C

T_C= 25C

V/ns

G = Gate

S = Source

= Drain

890

Tab = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C

Features

^International Standard Packages

^Rugged PolarP^TMProcess

^Avalanche Rated

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

M_d

Mounting Force

Mounting Torque

(PLUS247)

(TO-264)

20..120 / 4.5..27

1.13 / 10

N/lb

Nm/lb.in

^Fast Intrinsic Diode

^Low Package Inductance

Weight

PLUS247

TO-264

Advantages



Easy to Mount

Space Savings

High Power Density



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

- 200

- 2.0

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= - 250A

V_DS= V_GS, I_D= -1mA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V



High-Side Switches

Push Pull Amplifiers

DC Choppers

Automatic Test Equipment

- 4.5



100 nA



I_DSS

- 50 A

- 250 A



Current Regulators

T_J= 125C

R_DS(on)

V_GS= -10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

44 m

DS99933D(6/16)

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与IXTX90P20P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTY01N100	IXYS	获取价格	High Voltage MOSFET N-Channel, Enhancement Mode
IXTY01N100	LITTELFUSE	获取价格	高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉
IXTY01N100D	IXYS	获取价格	N-Channel, Depletion Mode High Voltage MOSFET
IXTY01N100D	LITTELFUSE	获取价格	与普通的增强型MOSFET不同，耗尽型MOSFET需要负的栅偏压方可关闭。因此，这种器件
IXTY01N80	IXYS	获取价格	High Voltage MOSFET
IXTY02N120P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTY02N120P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTY02N50D	IXYS	获取价格	High Voltage MOSFET N-Channel, Depletion Mode
IXTY02N50D	LITTELFUSE	获取价格	与普通的增强型MOSFET不同，耗尽型MOSFET需要负的栅偏压方可关闭。因此，这种器件
IXTY03N90PHV	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡

与IXTX90P20P相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

24
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

16
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

48
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTX90P20P

IXTX90P20P 技术参数

IXTX90P20P 数据手册

与IXTX90P20P相关器件

与IXTX90P20P相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTX90P20P

IXTX90P20P 技术参数

IXTX90P20P 数据手册

与IXTX90P20P相关器件

与IXTX90P20P相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？