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IXTX90N25L2 PDF预览

IXTX90N25L2

更新时间： 2024-11-06 14:56:51
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 开关
页数 文件大小 规格书
6页 162K
描述
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应

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IXTX90N25L2 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.71
Base Number Matches：1

IXTX90N25L2 数据手册

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LinearL2TM  
Power MOSFET  
w/ Extended FBSOA  
VDSS  
ID25  
= 250V  
= 90A  
IXTK90N25L2  
IXTX90N25L2  
RDS(on) < 36m  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-264 (IXTK)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
G
D
S
TJ = 25C to 150C  
250  
250  
V
V
VDGR  
TJ = 25C to 150C, RGS = 1M  
Tab  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
PLUS247 (IXTX)  
ID25  
IDM  
TC = 25C  
90  
A
A
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
360  
IA  
EAS  
TC = 25C  
TC = 25C  
45  
3
A
J
G
D
Tab  
S
PD  
TC = 25C  
960  
W
TJ  
-55...+150  
150  
C  
C  
C  
G = Gate  
S = Source  
D
= Drain  
TJM  
Tstg  
Tab = Drain  
-55...+150  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Md  
FC  
Mounting Torque (TO-264)  
Mounting Force (PLUS247)  
1.13/10  
Nm/lb.in  
N/lb  
20..120 /4.5..27  
Features  
Weight  
TO-264  
PLUS247  
10  
6
g
g
Designed for Linear Operation  
International Standard Packages  
Avalanche Rated  
Guaranteed FBSOA at 75C  
Advantages  
Easy to Mount  
Space Savings  
High Power Density  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Min. Typ. Max.  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Applications  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 1mA  
VDS = VGS, ID = 3mA  
VGS = 20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
250  
V
V
Solid State Circuit Breakers  
Soft Start Controls  
Linear Amplifiers  
Programmable Loads  
Current Regulators  
2.0  
4.5  
200 nA  
IDSS  
50  A  
2.5 mA  
TJ = 125C  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25 , Note 1  
36 m  
DS100080A(4/16)  
© 2016 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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