IXTX60N50L2

更新时间： 2024-11-05 12:46:27

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
LinearL2 Power MOSFET w/Extended FBSOA

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IXTX60N50L2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.71
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	3000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (ID)：	60 A	最大漏源导通电阻：	0.1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	150 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTX60N50L2 数据手册

Preliminary Technical Information

LinearL2^TMPower

MOSFET w/Extended

FBSOA

V_DSS

I_D25

= 500V

= 60A

IXTK60N50L2

IXTX60N50L2

R_DS(on)< 100mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-264

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

500

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

(TAB)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

PLUS247

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

150

I_A

E_AS

T_C= 25°C

P_D

T_C= 25°C

960

T_J

-55...+150

150

°C

(TAB)

T_JM

T_stg

-55...+150

G = Gate

= Drain

S = Source

TAB = Drain

T_L

1.6mm (0.063 in.) from case for 10s

Plastic body for 10s

300

260

°C

T_SOLD

M_d

F_C

Mounting torque (IXTK)

Mounting Force (IXTX)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

20..120 / 4.5..27

Features

Weight

TO-264

PLUS247

^zDesigned for linear operation

^zInternational standard packages

^zAvalanche rated

^zGuaranteed FBSOA at 75°C

Advantages

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

500

2.5

^zSolid state circuit breakers

^zSoft start controls

^zLinear amplifiers

^zProgrammable loads

^zCurrent regulators

4.5

±200 nA

50 μA

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

100 mΩ

DS100087(12/08)

12 3 4 5

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