IXTX60N50L2

更新时间： 2024-10-02 12:46:27

品牌	Logo	应用领域
IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
5页	164K
描述
LinearL2 Power MOSFET w/Extended FBSOA

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTX60N50L2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.71
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	3000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (ID)：	60 A	最大漏源导通电阻：	0.1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	150 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTX60N50L2 数据手册

Preliminary Technical Information

LinearL2^TMPower

MOSFET w/Extended

FBSOA

V_DSS

I_D25

= 500V

= 60A

IXTK60N50L2

IXTX60N50L2

R_DS(on)< 100mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-264

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

500

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

(TAB)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

PLUS247

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

150

I_A

E_AS

T_C= 25°C

P_D

T_C= 25°C

960

T_J

-55...+150

150

°C

(TAB)

T_JM

T_stg

-55...+150

G = Gate

= Drain

S = Source

TAB = Drain

T_L

1.6mm (0.063 in.) from case for 10s

Plastic body for 10s

300

260

°C

T_SOLD

M_d

F_C

Mounting torque (IXTK)

Mounting Force (IXTX)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

20..120 / 4.5..27

Features

Weight

TO-264

PLUS247

^zDesigned for linear operation

^zInternational standard packages

^zAvalanche rated

^zGuaranteed FBSOA at 75°C

Advantages

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

500

2.5

^zSolid state circuit breakers

^zSoft start controls

^zLinear amplifiers

^zProgrammable loads

^zCurrent regulators

4.5

±200 nA

50 μA

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

100 mΩ

DS100087(12/08)

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与IXTX60N50L2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTX6N200P3HV	LITTELFUSE	获取价格	Polar3?标准功率MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路
IXTX80N30L2	LITTELFUSE	获取价格	这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正
IXTX8N150L	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 1500V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXTX8N150L	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTX90N25L2	IXYS	获取价格	LinearL2 Power MOSFET w/Extended FBSOA
IXTX90N25L2	LITTELFUSE	获取价格	这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正
IXTX90P20P	IXYS	获取价格	PolarPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTX90P20P	LITTELFUSE	获取价格	Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造，相比传统产品将通态电阻(
IXTY01N100	IXYS	获取价格	High Voltage MOSFET N-Channel, Enhancement Mode
IXTY01N100	LITTELFUSE	获取价格	高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉

与IXTX60N50L2相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

38
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

32
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

29
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

40

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTX60N50L2

IXTX60N50L2 技术参数

IXTX60N50L2 数据手册

与IXTX60N50L2相关器件

与IXTX60N50L2相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTX60N50L2

IXTX60N50L2 技术参数

IXTX60N50L2 数据手册

与IXTX60N50L2相关器件

与IXTX60N50L2相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？