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IXTX8N150L

更新时间： 2024-11-05 20:51:15

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力特 - LITTELFUSE		/
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6页	149K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTX8N150L 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.74
Base Number Matches：	1

IXTX8N150L 数据手册

Preliminary Technical Information

Linear Power MOSFET

w/Extended FBSOA

V_DSS

I_D25

= 1500V

= 8A

IXTK8N150L

IXTX8N150L

R_DS(on)< 3.6Ω

N-Channel Enhancement Mode

Guaranteed FBSOA

TO-264(IXTK)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

1500

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

(TAB)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

PLUS247(IXTX)

P_D

T_C= 25°C

700

T_J

-55 to +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 to +150

(TAB)

Drain

T_L

1.6mm (0.063 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

T_SOLD

G = Gate

M_d

F_C

Mounting Torque (IXTK)

Mounting Force (IXTX)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

S = Source

TAB = Drain

20..120 / 4.5..27

Weight

TO-264

PLUS247

Features

^zDesigned for Linear Operations

^zInternational Standard Packages

^zGuaranteed FBSOA at 60°C

^zMolding Epoxies Meet UL94 V-0

Flammability Classification

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

Applications

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

^zProgrammable Loads

^zCurrent Regulators

^zDC-DC Convertors

^zBattery Chargers

BV_DSS

V_GS(th)

V_GS= 0V, I_D= 1mA

1500

5.0

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

8.0

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

±200 nA

^zDC Choppers

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

50 μA

3 mA

^zTemperature and Lighting Controls

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 20V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

3.6

Advantages

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

DS99616A(2/09)

12 3 4 5 6

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