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IXTY02N120P

更新时间： 2024-10-03 14:56:55

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	226K
描述
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。这些器件包含了Polar技术平台，以实现低导通电阻（Rdson）。 Polar标准MOS

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IXTY02N120P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.72	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	40 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.2 A	最大漏极电流 (ID)：	0.2 A
最大漏源导通电阻：	0.075 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	33 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	0.6 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTY02N120P 数据手册

Polar^TM

Power MOSFET

IXTY02N120P

IXTP02N120P

V_DSS= 1200V

I_D25= 0.2A

R_DS(on) 75

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-252 (IXTY)

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-220 (IXTP)

T_J= 25C to 150C

1200

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

D (Tab)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

0.2

0.6

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

I_A

T_C= 25C

0.2

E_AS

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

Features

T_J

-55 ... +150

150

C

T_JM

T_stg



International Standard Packages

Low Q_G



-55 ... +150

Avalanche Rated

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Low Package Inductance

Fast Intrinsic Rectifier

M_d

Mounting Torque (TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in

Advantages

Weight

TO-252

TO-220

0.35

3.00



High Power Density

Easy to Mount



Space Savings

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



DC-DC Converters

Switch-Mode and Resonant-Mode

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



Power Supplies

AC and DC Motor Drives

Laser Drivers

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 100μA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

1200





2.0

4.0

Igniters, RF Generators



50 nA

A



Robotics and Servo Controls

I_DSS

T_J= 125C

25 A

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1



DS100201B(8/17)

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTY02N50D	IXYS	获取价格	High Voltage MOSFET N-Channel, Depletion Mode
IXTY02N50D	LITTELFUSE	获取价格	与普通的增强型MOSFET不同，耗尽型MOSFET需要负的栅偏压方可关闭。因此，这种器件
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IXTY08N100D2-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTY08N100P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
IXTY08N100P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡

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