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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-252 | 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 8.49 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最大漏源导通电阻： | 4.6 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 60 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTY10P15T | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 150V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IXTY10P15T | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTY12N06T | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXTY12N06T | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTY12N06TTRL | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXTY14N60X2 | LITTELFUSE |
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这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的 |
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| IXTY15P15T | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTY18P10T | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IXTY18P10T | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTY18P10T-TRL | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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