是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | TO-252AA | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.72 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 100 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 1000 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 1 A | 最大漏极电流 (ID): | 1 A |
最大漏源导通电阻: | 15 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-252AA | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 50 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 1.8 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXTA1N100P | IXYS |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1000V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTY1N100P-TRL | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTY1N120P | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET | |
IXTY1N120P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTY1N120P_V01 | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET | |
IXTY1N80 | IXYS |
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High Voltage MOSFET | |
IXTY1N80P | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 800V, 14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- | |
IXTY1N80P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 800V, 14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- | |
IXTY1R4N100P | IXYS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTY1R4N100P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTY1R4N120P | IXYS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |