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IXTY1N100P

更新时间： 2024-11-18 20:05:23

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	259K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1000V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, TO-252, 3 PIN

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IXTY1N100P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-252AA	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.72
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1 A	最大漏极电流 (ID)：	1 A
最大漏源导通电阻：	15 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	50 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	1.8 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTY1N100P 数据手册

Polar^TM

Power MOSFET

IXTY1N100P

IXTA1N100P

IXTP1N100P

V_DSS= 1000V

I_D25= 1A

R_DS(on) 15

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-252 (IXTY)

D (Tab)

TO-263 (IXTA)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

1000

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

D (Tab)

TO-220 (IXTP)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

1.0

1.8

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

T_C= 25C

1.0

D (Tab)

E_AS

100

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

T_J

-55 ... +150

150

C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Features

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



International Standard Packages

Low Q_G

Avalanche Rated

Low Package Inductance

Fast Intrinsic Rectifier



F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb

Nm/lb.in

Weight

TO-252

TO-263

TO-220

0.35

2.50

3.00

Advantages



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 50μA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

1000



2.5

4.5

DC-DC Converters

Switch-Mode and Resonant-Mode



50 nA

A

Power Supplies

AC and DC Motor Drives



I_DSS





Lasers Drivers

T_J= 125C

100 A





Robotics and Servo Controls

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

12.2

15.0 

DS99234H(8/17)

12 3 4 5

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IXTY1N100P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTA1N100P	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1000V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

与IXTY1N100P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTY1N100P-TRL	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTY1N120P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
IXTY1N120P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTY1N120P_V01	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
IXTY1N80	IXYS	获取价格	High Voltage MOSFET
IXTY1N80P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 800V, 14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
IXTY1N80P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 800V, 14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
IXTY1R4N100P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTY1R4N100P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTY1R4N120P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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