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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 478K | |
描述 | ||
IXTY2P50PA是一款通过AEC-Q101认证并符合PPAP要求的-500 V、-2 A、PolarTM P通道增强模式功率 MOSFET,采用TO-252 (DPAK) 封装。 P通道MOS |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTY2R4N50P | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 500V, 3.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IXTY2R4N50P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTY32P05T | IXYS |
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TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTY32P05T | LITTELFUSE |
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Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用,这些应用可采用简单的接地参考驱 | |
IXTY3N50P | IXYS |
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PolarHV Power MOSFET | |
IXTY3N50P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTY3N60P | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 2.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
IXTY3N60P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTY44N10T | IXYS |
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TrenchMVTM Power MOSFET | |
IXTY44N10T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 |