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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.66 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 100 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 1000 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1 A | 最大漏极电流 (ID)： | 1 A |
| 最大漏源导通电阻： | 15 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 1.8 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXTY1N100P | IXYS |
功能相似  |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1000V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IXTP1N100P | IXYS |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1000V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTA1N120P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1200V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IXTA1N120P-TRL | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTA1N170DHV | LITTELFUSE |
获取价格 |
与普通的增强型MOSFET不同，耗尽型MOSFET需要负的栅偏压方可关闭。 因此，这种器件 |
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| IXTA1N200P3HV | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTA1N200P3HV | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar3?标准功率MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路 |
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| IXTA1N300P3HV | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTA1N80 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage MOSFET |
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| IXTA1N80P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 800V, 14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| IXTA1R4N100P | IXYS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTA1R4N100P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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