型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTA200N085T7 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 85V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IXTA20N65X | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTA20N65X | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTA20N65X2 | LITTELFUSE |
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这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,具有最低的导通电阻,以及低栅极电荷和卓越的 | |
IXTA20N65X-TRL | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTA220N04T2 | IXYS |
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DC to DC Synchronous Converter Design | |
IXTA220N04T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能 | |
IXTA220N04T2-7 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 220A I(D), 40V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IXTA220N04T2-7 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能 | |
IXTA220N04T2-TRL | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, |