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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 雪崩能效等级（Eas）： | 1 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 85 V | 最大漏极电流 (ID)： | 200 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.005 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G6 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 540 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTA20N65X | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTA20N65X | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTA20N65X2 | LITTELFUSE |
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这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的 |
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| IXTA20N65X-TRL | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTA220N04T2 | IXYS |
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DC to DC Synchronous Converter Design |
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| IXTA220N04T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能 |
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| IXTA220N04T2-7 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 220A I(D), 40V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IXTA220N04T2-7 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能 |
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| IXTA220N04T2-TRL | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTA220N055T | IXYS |
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Preliminary Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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