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IXTA200N085T7

更新时间： 2024-01-30 14:59:38

品牌	Logo	应用领域
IXYS		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	162K
描述
Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 85V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263, TO-263, 7 PIN

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IXTA200N085T7 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	雪崩能效等级（Eas）：	1 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	85 V	最大漏极电流 (ID)：	200 A
最大漏源导通电阻：	0.005 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263	JESD-30 代码：	R-PSSO-G6
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	540 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTA200N085T7 数据手册

IXTA200N085T7

Fig. 8. Transconductance

Fig. 7. Input Admittance

270

240

210

180

150

120

180

160

140

120

100

= - 40ºC

25ºC

= -40ºC

25ºC

150ºC

120 150 180 210 240 270 300

I_D- Amperes

0.4

3.5

4.5

5.5

6.5

1.3

V_GS- Volts

Fig. 9. Forward Voltage Drop of

Intrinsic Diode

Fig. 10. Gate Charge

270

240

210

180

150

120

= 43V

= 25A

= 10mA

= 150ºC

= 25ºC

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.1

1.2

100

120

140

160

Q_G- NanoCoulombs

V_SD- Volts

Fig. 12. Maximum Transient Thermal

Impedance

Fig. 11. Capacitance

10,000

1,000

100

1.00

0.10

0.01

iss

oss

f = 1 MHz

rss

0.0001

0.001

0.01

0.1

Pulse Width - Seconds

V_DS- Volts

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

1 2 345

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