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IXTA200N085T7

更新时间： 2024-02-09 09:56:24
品牌 Logo 应用领域
IXYS 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 162K
描述
Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 85V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263, TO-263, 7 PIN

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IXTA200N085T7 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.84雪崩能效等级（Eas）：1 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：85 V最大漏极电流 (ID)：200 A
最大漏源导通电阻：0.005 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263JESD-30 代码：R-PSSO-G6
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：540 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IXTA200N085T7 数据手册

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IXTA200N085T7  
Fig. 14. Resistive Turn-on  
Rise Time vs. Drain Current  
Fig. 13. Resistive Turn-on  
Rise Time vs. Junction Temperature  
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
R
V
V
= 5  
Ω
G
= 10V  
= 43V  
GS  
DS  
T = 25ºC  
J
R
V
V
= 5  
Ω
G
= 10V  
= 43V  
GS  
DS  
I
= 50A  
D
I
= 25A  
45  
D
T = 125ºC  
J
25  
30  
35  
40  
45  
50  
25  
35  
55  
65  
75  
85  
95  
105 115 125  
TJ - Degrees Centigrade  
ID - Amperes  
Fig. 15. Resistive Turn-on  
Switching Times vs. Gate Resistance  
Fig. 16. Resistive Turn-off  
Switching Times vs. Junction Temperature  
70  
97  
94  
91  
88  
85  
82  
79  
76  
73  
70  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
65  
60  
55  
50  
45  
40  
35  
30  
25  
t r  
td(on)  
- - - -  
68  
66  
64  
62  
60  
58  
56  
54  
52  
TJ = 125ºC, V = 10V  
GS  
I = 25A  
D
V
= 43V  
DS  
I
= 50A  
t f  
R
td(off)  
- - - -  
D
= 5 , V = 10V  
G
Ω
GS  
V
= 43V  
I
= 25A  
DS  
D
60  
I
= 50A  
D
40  
20  
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
20  
25  
35  
45  
55  
65  
75  
85  
95 105 115 125  
RG - Ohms  
TJ - Degrees Centigrade  
Fig. 18. Resistive Turn-off  
Switching Times vs. Gate Resistance  
Fig. 17. Resistive Turn-off  
Switching Times vs. Drain Current  
72  
70  
68  
66  
64  
62  
60  
58  
56  
54  
52  
50  
105  
100  
95  
90  
85  
80  
75  
70  
65  
60  
55  
50  
200  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
320  
290  
260  
230  
200  
170  
140  
110  
80  
tf  
td(off)  
- - - -  
T = 25ºC  
J
T = 125ºC, VGS = 10V  
J
VDS = 43V  
TJ = 125ºC  
t f  
td(off)  
- - - -  
I
= 50A  
D
I
= 25A  
D
R
G
= 5 , VGS = 10V  
Ω
VDS = 43V  
T =125ºC  
J
60  
T = 25ºC  
J
40  
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
20  
24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 50  
ID - Amperes  
RG - Ohms  
IXYS REF: T_200N085T (61) 11-20-06-A.xls  
© 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved  
12345

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