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IXTA200N085T7

更新时间： 2024-02-22 02:43:40
品牌 Logo 应用领域
IXYS 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 162K
描述
Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 85V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263, TO-263, 7 PIN

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IXTA200N085T7 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.84雪崩能效等级（Eas）：1 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：85 V最大漏极电流 (ID)：200 A
最大漏源导通电阻：0.005 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263JESD-30 代码：R-PSSO-G6
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：540 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IXTA200N085T7 数据手册

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IXTA200N085T7  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
TO-263 (7-lead) (IXTA...7) Outline  
(TJ = 25°C unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
gfs  
VDS= 10 V; ID = 60 A, Note 1  
75  
125  
S
Ciss  
Coss  
Crss  
7600  
1040  
200  
pF  
pF  
pF  
VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
Resistive Switching Times  
VGS = 10 V, VDS = 0.5 VDSS, ID = 25 A  
RG = 5 Ω (External)  
32  
80  
65  
64  
ns  
ns  
ns  
ns  
Qg(on)  
Qgs  
152  
37  
nC  
nC  
nC  
VGS= 10 V, VDS = 0.5 VDSS, ID = 25 A  
Pins: 1 - Gate  
2, 3 - Source  
4 - Drain  
Qgd  
42  
RthJC  
0.31°C/W  
5,6,7 - Source  
Tab (8) - Drain  
Source-Drain Diode  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
TJ = 25°C unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
IS  
VGS = 0 V  
200  
A
A
ISM  
VSD  
trr  
Pulse width limited by TJM  
IF = 25 A, VGS = 0 V, Note 1  
540  
1.0  
V
IF = 25 A, -di/dt = 100 A/μs  
90  
ns  
VR = 40 V, VGS = 0 V  
Notes: 1. Pulse test, t ≤ 300 μs, duty cycle d ≤ 2 %.  
PRELIMINARYTECHNICALINFORMATION  
The product presented herein is under development. The Technical Specifications  
offered are derived from data gathered during objective characterizations of preliminary  
engineering lots; but also may yet contain some information supplied during a pre-  
production design evaluation. IXYS reserves the right to change limits, test conditions,  
and dimensions without notice.  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.  
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,592 4,931,844  
one or moreof the following U.S. patents: 4,850,072 5,017,508  
4,881,106 5,034,796  
5,049,961  
5,063,307  
5,187,117  
5,237,481  
5,381,025  
5,486,715  
6,162,665  
6,259,123 B1  
6,306,728 B1  
6,404,065 B1 6,683,344  
6,534,343  
6,583,505  
6,727,585  
6,710,405B2 6,759,692  
6,710,463  
7,005,734 B2  
7,063,975 B2  
6771478 B2 7,071,537  
12345

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