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IXTA20N65X2

更新时间： 2024-03-03 10:10:26
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 栅二极管栅极
页数 文件大小 规格书
7页 996K
描述
这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的dv/dt性能。 其雪崩能力也增强了器件的强度。 此外，借助快速软恢复体二极管，超级结MOSFET有助于

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X3-Class  
VDSS = 650V  
ID25 = 20A  
RDS(on) 185m  
IXTA20N65X2  
IXTP20N65X2  
IXTH20N65X2  
Power MOSFETTM  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-263  
(IXTA)  
D
S
G
S
G
D (Tab)  
TO-220  
(IXTP)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25C to 150C  
650  
650  
V
V
G
VDGR  
TJ = 25C to 150C, RGS = 1M  
D
S
D (Tab)  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
30  
40  
V
V
TO-247  
(IXTH)  
ID25  
IDM  
TC = 25C  
20  
22  
A
A
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
IA  
TC = 25C  
TC = 25C  
5
A
G
EAS  
400  
mJ  
V/ns  
W
D
D (Tab)  
S
dv/dt  
PD  
IS IDM, VDD VDSS, TJ 150°C  
TC = 25C  
50  
G = Gate  
S = Source  
D
= Drain  
290  
Tab = Drain  
TJ  
-55 ... +150  
150  
C  
C  
C  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
Features  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
International Standard Packages  
Low RDS(ON) and QG  
Avalanche Rated  
FC  
Md  
Mounting Force (TO-263)  
Mounting Torque (TO-220 & TO-247)  
10..65 / 2.2..14.6  
1.13 / 10  
N/lb  
Nm/lb.in  
Weight  
TO-263  
TO-220  
TO-247  
2.5  
3.0  
6.0  
g
g
g
Low Package Inductance  
Advantages  
High Power Density  
Easy to Mount  
Space Savings  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250µA  
VDS = VGS, ID = 250µA  
VGS = 30V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
650  
V
V
Applications  
2.5  
4.5  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
Power Supplies  
DC-DC Converters  
PFC Circuits  
AC and DC Motor Drives  
100 nA  
A  
IDSS  
5
TJ = 125C  
50 A  
Robotics and Servo Controls  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25, Note 1  
155  
185 m  
DS100868C(1/20)  
© 2020 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTA20N65X-TRL LITTELFUSE

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 		Power Field-Effect Transistor,
IXTA220N04T2 IXYS

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 		DC to DC Synchronous Converter Design
IXTA220N04T2 LITTELFUSE

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 		这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTA220N04T2-7 IXYS

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 		Power Field-Effect Transistor, 220A I(D), 40V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTA220N04T2-7 LITTELFUSE

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 		这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTA220N04T2-TRL IXYS

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IXTA220N075T7 IXYS

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IXTA230N04T4 LITTELFUSE

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 		N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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